1: ののの ★ 2017/05/19(金) 17:52:20.08 ID:CAP_USER.net
産業技術総合研究所(産総研)などは5月16日、次世代の不揮発性メモリであるとされる磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の3次元積層プロセス技術を開発したと発表した。

同成果は、産総研スピントロニクス研究センター金属スピントロニクスチーム 薬師寺 啓研究チーム長、集積マイクロシステム研究センター高木秀樹総括研究主幹、ウエハレベル実装研究チーム 倉島優一主任研究員、ナノエレクトロニクス研究部門3D集積システムグループ 菊地克弥研究グループ長、渡辺直也主任研究員らの研究グループによるもので、5月15日付けの国際科学誌「Applied Physics Express」に掲載された。

01

3次元積層プロセス技術の概要 (出所:産総研Webサイト)

全文はソースで
http://news.mynavi.jp/news/2017/05/19/278/?rt=top

引用元:http://anago.2ch.sc/test/read.cgi/bizplus/1495183940/

3: 名刺は切らしておりまして 2017/05/19(金) 17:54:25.32 ID:N1wuAC4t.net
5年以内??

もっと早くしてくれや

5: 名刺は切らしておりまして 2017/05/19(金) 17:56:37.78 ID:egXVvkmM.net
なるほど、分からん。

6: 名刺は切らしておりまして 2017/05/19(金) 17:57:29.56 ID:P8WP9l/T.net
すぐにパクられるわwww

7: 名刺は切らしておりまして 2017/05/19(金) 17:59:12.83 ID:dUlICV9G.net
MRAMはCurie点以上に昇温しても記録は保持されるの?

8: 名刺は切らしておりまして 2017/05/19(金) 18:03:25.76 ID:YR83g7Ky.net
こういうのっていつどこで実用化されて量産されてるの?

10: 名刺は切らしておりまして 2017/05/19(金) 18:07:56.43 ID:YA081oc5.net
実用化してから発表しろや

12: 名刺は切らしておりまして 2017/05/19(金) 18:16:17.41 ID:4rf1qFUU.net
>CMOS形成ウェハとTMR薄膜ウェハを
>別体形成した後に圧着して接合する

なんつー強引なwww
ちゃんとパターン合わせられるんかw

24: 名刺は切らしておりまして 2017/05/19(金) 18:57:47.24 ID:RyzxbuLF.net
>>12
あくまで実証レベルだろ。ミクロン単位オーダーで採算度外視で時間をかけて
いいなら可能かもしれんが、製品レベルでは実用にはならんだろうな。

28: 名刺は切らしておりまして 2017/05/19(金) 19:11:47.31 ID:6Gegx1WW.net
三次元積層プロセスっていうから、縦方向に集積させるのかと思ったら、単に記憶素子と制御素子を別々に作って後で貼り合わせるだけなのね。>>12も言ってるけど、パターンはどう合わせてるんだろう?

17: 名刺は切らしておりまして 2017/05/19(金) 18:26:47.05 ID:C/YlHNET.net
いくら研究者や技術者が頑張ってもバカ無能文系が世界最低の交渉力で
オジャンにしてしまうから無駄。

21: 名刺は切らしておりまして 2017/05/19(金) 18:42:06.89 ID:Z1gyfgPp.net
金ないのにがんばってるな

40: 名刺は切らしておりまして 2017/05/19(金) 20:51:43.76 ID:WPH+goyo.net
こいつらいつもなんか開発してんなw

25: 名刺は切らしておりまして 2017/05/19(金) 18:58:09.17 ID:Q7JvoPP2.net
MRAMメモリ搭載の商品なんてだいぶ前からあんのに

未だに主役張れないあたり 
コスパ悪いし色々問題ばっかなんだろうなって。

29: 名刺は切らしておりまして 2017/05/19(金) 19:20:12.64 ID:RyzxbuLF.net
>>25
フラッシュメモリも、当初は旧日立(ルネサス)のワンチップマイコンZTATの
内蔵PROMとして採用されたり、従来の紫外線消去型PROMの置き換えが主流で、
当時の微細加工技術の限界もあって容量も512kバイトとかだった。

それから30年くらい経つ。MRAMは、フラッシュメモリと違ってDRAMと同様に
バイト単位で読み書きできるだけでなく、電源を切っても消えないので、
DRAMに替えてメインメモリに使えばサスペンドが不要になる。

27: 名刺は切らしておりまして 2017/05/19(金) 19:08:03.92 ID:B4DDFPCE.net
Mram進んでたのはシャープだったのに

14: 名刺は切らしておりまして 2017/05/19(金) 18:19:44.86 ID:Ip/53mc6.net
ポストNANDフラッシュの候補のひとつだが
インテルが3D Xpointで先行してるから
本命は相変化型だろうな

31: 名刺は切らしておりまして 2017/05/19(金) 19:24:06.22 ID:ftXoyMWZ.net
>>14
ポストDRAMの候補なんじゃないの?
不揮発性なのでデータの消えないメインメモリが用途なのでは?

DRAMの終焉――消えないメモリがもたらす大変化
http://diamond.jp/articles/-/35682?page=2

33: 名刺は切らしておりまして 2017/05/19(金) 19:25:57.76 ID:ftXoyMWZ.net
MRAMやReRAMは情報を電荷ではなく、抵抗値を変化させることで保持します。
このため半導体回路を微細化しても、DRAMのように電荷量不足の問題は起きません。
10ナノメートル以下のプロセスの微細化にも対応できるといわれています。
MRAMやReRAMは記憶回路は比較的単純なのでDRAM並に大容量化もできるとされ、
読み書き性能もそこそこ高速なので、
今後、DRAM代替となる次世代メモリとして期待されています。

34: 名刺は切らしておりまして 2017/05/19(金) 19:30:00.79 ID:To7ShEZw.net
ふむふむ
わかんなーい

38: 名刺は切らしておりまして 2017/05/19(金) 20:06:42.39 ID:BXNpnPuR.net
ええ話や


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