半導体

半導体大手Broadcom、Qualcommに15兆円買収提案

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1: ハンバーグタイカレー ★ 2017/11/07(火) 05:49:40.47 ID:CAP_USER9.net
米半導体大手ブロードコムは6日、同業の米クアルコムに対し、買収を提案したと発表した。買収額は負債を含めた総額で約1300億ドル(約14・8兆円)。実現すれば半導体業界では過去最大のM&A(企業合併・買収)案件になる。

 両社ともスマートフォンなど無線通信向けの半導体に強みを持つ。買収が実現すれば、米インテル、韓国サムスン電子に次ぐ巨大半導体メーカーが生まれることになる。

全文はソースで
http://www.asahi.com/articles/ASKC67TPRKC6UHBI03V.html

ブロードコムがクアルコム買収検討と米メディアが報道、10兆円規模か

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1: スターダストレヴァリエ ★ 2017/11/04(土) 13:30:57.25 ID:CAP_USER.net
ブロードコムがクアルコム買収検討 米報道、10兆円規模か
2017/11/4 5:39 (2017/11/4 9:49更新)

 【シリコンバレー=佐藤浩実】半導体大手のブロードコムが同業クアルコムの買収を検討していることがわかった。複数の米メディアが3日、関係者の話として報じた。
米紙ウォール・ストリート・ジャーナル(電子版)によると、今週末にも交渉入りする。クアルコムの時価総額は911億ドル(3日終値、約10兆3800億円)にのぼり、実現すれば半導体業界で最大規模の買収となる。

 クアルコムの広報担当者は3日、日本経済新聞の取材に対し「コメントできない」と話した。ブロードコムからは返答を得られていない。3日のクアルコムの株価は報道を受けて大幅に上昇し、終値は前日比6.97ドル(12.7%)高の61.81ドルだった。

続きはソースで
https://www.nikkei.com/article/DGXMZO23112490U7A101C1000000/?dg=1

孫正義の預言。テクノロジーの「覇者」は、半導体に辿り着く

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1: ノチラ ★ 2017/10/09(月) 23:25:33.33 ID:CAP_USER.net
「後々の人々は、こう言うでしょう」
今年7月に開かれたソフトバンクグループのイベント「SoftBank World」。2時間以上にわたった基調講演の最終盤、CEOの孫正義は神妙に語り出し、こう続けた。

「チップ(半導体)を制する者が、全てを制する、と」

孫がこう切り出した背景には、当然、昨年3兆3000億円を注ぎ込んで買収した英半導体大手のARMの存在がある。孫は、グループの「ビジョンファンド」を通じて、膨大な数の買収・出資を続けているが、ARMの存在は別格だ。

続きはソースで
https://newspicks.com/news/2544596/body/?ref=index

AI用半導体の開発支援 経産省、設備購入肩代わり

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1: ノチラ ★ 2017/08/15(火) 11:52:45.04 ID:CAP_USER.net
経済産業省は人工知能(AI)のデータ処理などに特化した半導体について、ベンチャー企業や研究者による開発を支援する。日本の成長力底上げに向け、新しい分野のものづくりを育てる狙いがある。試作段階から巨額の費用が必要なため大企業以外では手を出しにくい。国がかわりに専用ソフトや設備を買い上げて、先端分野の開発と育成の環境を整える。

 AIは膨大な計算を同時に処理するため、使うソフトウエアとそれにあった半導…
http://www.nikkei.com/article/DGXLZO19984080U7A810C1EE8000/

サムスン、intelを抜き半導体市場のトップに。 24年ぶりの首位交代

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1: ノチラ ★ 2017/07/28(金) 19:57:29.33 ID:CAP_USER.net
2017年4~6月の世界半導体市場で24年ぶりに首位が交代した。米インテルは27日、17年4~6月期連結売上高が前年同期比9%増となったと発表。47%増収となった韓国サムスン電子の半導体部門を下回った。サムスンはサーバー向けの記憶媒体に使う半導体が好調で、17年通年でも首位に立つ可能性がある。

 インテルの連結売上高は約148億ドル(約1兆6600億円…
http://www.nikkei.com/article/DGXLASDC28H2D_Y7A720C1EA1000/

17年の半導体製造装置市場、「ITバブル」期超えへ

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1: 孤高の旅人 ★ 2017/07/12(水) 17:11:19.10 ID:CAP_USER9.net
17年の半導体製造装置市場、「ITバブル」期超えへ
2017/7/12 16:01
 
 半導体製造装置の業界団体SEMI(米カリフォルニア州)は、2017年の世界の半導体製造装置市場が過去最高になる見通しだと発表した。「ITバブル」期の00年に記録した水準を初めて上回ることになる。18年は17年をさらに上回る見込み。半導体の旺盛な需要を受けて装置業界は活況が続きそうだ。
 17年は半導体製造装置の世界販売額が前年比19.8%増の494億ドルになると予測する。これまでの最高額だった477億ドルを17年ぶりに更新する。18年も7.7%拡大して532億ドルに達すると見込む。
 地域別では17年に初めて韓国が最大市場になる。サムスン電子とSKハイニックスのメモリー大手がけん引し、韓国の市場規模は前年比7割増の130億ドルまで拡大する。スマートフォン(スマホ)やデータセンターの記憶装置として使うフラッシュメモリーの需要が拡大する中、メモリー各社は素子を縦方向に積み上げる3次元化に向けた設備投資を増やしている。韓国市場は18年も3%拡大する見通し。

全文はソースで
http://www.nikkei.com/article/DGXLASDZ12HL6_S7A710C1000000/

中国、半導体大国へ前進 300mm工場投資20件が進行、武漢・合肥のPJも具体化

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1: ののの ★ 2017/07/11(火) 23:17:33.15 ID:CAP_USER.net
http://www.sangyo-times.jp/scn/headindex.aspx?ID=1533

 中国政府が先端半導体の国産化計画を発表してから、ちょうど3年が経過した。3D-NANDやDRAMを製造する巨大メモリー工場の計画がついに具体化し、製造装置メーカーに工場の立ち上げスケジュールを提示した。これらの案件を含め、中国では300mm工場の投資計画が20案件も進行している。

 中国政府は2014年6月、半導体産業の中長期発展計画「国家集成電路産業発展推進綱要」を発表し、15年に半導体産業専門の国家IC産業ファンドを設立した。半導体業界に巨額資金を投入するスキームが作られ、中国各地で半導体工場の建設計画が勃発した。先端製造技術に乏しい中国企業は当初、米マイクロンや東芝など海外大手メモリー企業の買収を画策したが、日米政府の反対で交渉は頓挫。巨大メモリー工場プロジェクトは将来の生産能力目標こそ示したが、計画を具体化できないでいた。
 17年5月に入り、これらの投資計画がついに進展した。3D-NAND製造のYMTC(長江ストレージ、存儲科技、湖北省武漢市)やDRAM製造のチャンシンIC(長シン集成電路、安徽省合肥市)が製造装置メーカーと具体的な選定交渉を始めたのだ。 

東芝がQLCの3D NANDを試作、96層プロセスの開発も 1.5Tバイトのパッケージ品も 4ビット/セルの3D NANDは「世界初」同社

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1: ののの ★ 2017/06/28(水) 17:35:13.60 ID:CAP_USER9.net
2017年06月28日 14時54分 更新
東芝メモリは、同社の3D NAND型フラッシュメモリ「BiCS FLASH」について、4ビット/セル(QLC)技術を用いた試作品と、96層積層プロセスを用いた試作品を開発し、基本性能を確認したと発表した。

QLCの3D NANDフラッシュ、容量1.5Tバイトのパッケージ品も

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QLCの3D NAND型フラッシュメモリの試作品のイメージ 出典:東芝メモリ

 東芝メモリは2017年6月28日、4ビット/セル(QLC:Quad Level Cell)技術を用いた3D(3次元) NAND型フラッシュメモリ「BiCS FLASH」を試作し、基本動作と基本性能を確認したと発表した。QLCを用いることで、従来の3ビット/セル(TLC:Triple Level Cell)を用いたBiCS FLASHに比べてさらなる大容量のメモリを実現できる。QLCを用いた3D NANDフラッシュは「世界初」(同社)とする。

 試作したQLC BiCS FLASHは、64層で、768Gビット(96Gバイト)という大容量を実現している。2017年6月上旬から、開発向けにSSDメーカーやメモリ制御ICメーカーに提供しているという。

 さらに、768Gビットのチップを1パッケージ内に16段積層し、1.5Tバイトの容量を実現した製品を、2017年8月からサンプル出荷する予定だ。なお、この製品は米国カリフォルニア州サンタクララで開催される「Flash Memory Summit 2017」(2017年8月7~10日)で参考展示する。

続きはソースで
http://eetimes.jp/ee/articles/1706/28/news093.html

半導体宗主国・日本の没落の裏に…韓国の一足早いDRAM投資

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1: ノチラ ★ 2017/06/23(金) 10:34:44.21 ID:CAP_USER.net
ソウルでオリンピック(五輪)が開催された1988年。米国と日本の政府関係者は毎月、交渉テーブルで向き合った。「半導体協定の改定」が扱われた。日本半導体の米国市場シェアがあまりにも高いため、日本市場内の米国半導体シェアも10%から20%程度に高めようというのが案件だった。当時の交渉には東芝・日立製作所・NEC・東芝・富士通など日本の半導体メーカーとモトローラ・マイクロンなど米国企業の責任者も出席した。当時の半導体市場はほとんど両国が掌握していた。特に88年には日本の世界半導体市場シェアが50%を超えた。

日本半導体の地位は90年代に入って揺らぎ始めた。89年まで東芝、NEC、米国のTI社に続く4位だったサムスンは90年に市場シェア12.9%と、東芝(14.7%)に次ぐ2位に浮上した。追撃の背景には半導体史を変えるほどの「経営判断」があった。88年当時の業界はDRAMの集積率を高める競争をしていた。1メガDRAMまではチップの平面にセルをより多く入れる企業が技術優位を確保できた。しかし4メガDRAMからは集積度を高めるための立体設計技術を適用する必要があった。

世界の業界がこの「立体構造」について悩み始めた。ウェハー表面を掘ってセルを集積する「トレンチ工程」と層を積み重ねてセルを入れる「スタック工程」が新技術の候補だった。トレンチ方式はやや安全だが、掘るほど回路が見えず工程が難しくなり経済性が落ちた。スタックは作業は容易で経済性があるが、品質の確保が難しかった。日本と米国の先発企業もどの技術を選択するか決められない状況だった。

当時サムスン電子の陳大済(チン・デジェ)博士(現スカイレイクインベストメント代表)、権五鉉(クォン・オヒョン)博士(現サムスン電子副会長)は李健熙(イ・ゴンヒ)会長にこのように報告した。「トレンチは欠陥が発生すれば対応できないが、スタックはマンションのように上に積むのでその中を見ることができる。トレンチは検証できないが、スタックは検証できる」。李会長はスタック方式に進むよう指示した。

巨額の投資もあった。サムスン電子は91年に4500億ウォン、92年に8000億ウォンを注ぎ込んだ。当時としては天文学的な投資金額だった。成果はすぐに表れた。サムスン電子はスタック技術を通じて92年にDRAM世界1位になった。半導体市場参入から10年目だった。

続きはソースで
http://japanese.joins.com/article/448/230448.html

Qualcomm、7nmチップ発注先をTSMCに切り替えか Samsungには大きな損失

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1: ののの ★ 2017/06/19(月) 21:20:14.83 ID:CAP_USER.net
韓国のET Newsによると、Qualcommは7nmのSnapdragon SoC(System on Chip)の発注先をTSMCに切り替える。この報道が正しければ、Samsungの2018年のファウンドリ事業は多大な痛手を被る。7nmのSnapdragon SoCは、2017年末か2018年早々に発表されることが予想される。
[Rick Merritt,EE Times]

Samsungの7nmノード開発遅延が一因

 韓国のIT技術サイトであるET Newsは、「10nmチップの製造はSamsung Electronicsに委ねたが、Qualcommは7nmを適用した『Snapdragon』SoC(System on Chip)の発注先についてはTSMCに切り替えるつもりだ」と報じた。この報道が正しければ、TSMCにとっては大きな追い風となるが、Samsungは2018年のファウンドリー(半導体受託製造)事業に多大な痛手を受けることになる。

 Qualcommの広報は、この報道を「うわさにすぎない」としてコメントを拒否した。SamsungとTSMCもコメントに応じていない。

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続きはソースで
http://eetimes.jp/ee/articles/1706/17/news010.html

原文へのリンク
http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1331893

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