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【ソウル＝鈴木壮太郎】韓国政府は25日、半導体メモリー世界首位のサムスン電子とハイニックス半導体が次世代メモリーとして有望視されるMRAM(磁気記録式メモリー)を共同開発すると発表した。MRAMは米国も国家プロジェクトとして取り組んでいるほか、日本の電機大手も開発を急いでおり、日米韓の開発競争が激しさを増しそうだ。
9月に共同研究開発に着手する。両社と大学・研究機関がそれぞれチームをつくり、月1回の定期会合で成果を共有する方式で進める。2012年までに開発を終え、13年ごろの量産を目指す。
当面の開発費は240億ウォン(約25億円)で韓国政府は国家プロジェクトに位置づけ、一部を支援する。
▽News Source IT+PLUS 2008年06月25日21時27分
http://it.nikkei.co.jp/business/news/index.aspx?n=AS2M2502G%2025062008
▽Samsung Electronics
http://www.samsung.com/
▽Hynix Semiconductor
http://www.hynix.com/
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