次世代半導体製造装置 その1
<キャノンは23日、「ナノインプリント」と呼ぶ技術を使った次世代半導体装置を2015年に発売すると発表した。
線幅が10ナノ(ナノは10億分の1)メートル台の微細な回路を加工する工程に使う装置でまずフラッシュメモリー向けに売り込む。
ナノインプリントは微細な凹凸のついた原板をウエハ―に押しつけて半導体回路を形成する技術。
ナノインプリントは露光して回路を形成する現在の技術に比べ仕組みが簡単なのが特徴で、半導体の低コスト化に繋がる>―――――日経新聞より。
ちょっと前まで、線幅60ナノとか、20ナノとか言っていたのが、一気に10ナノと来た。
すごいもんだ。
それよりも驚いたのは、その製造方法だ。
現在は写真のように露光させて線描する。
レンズで絞ればいくらでも理屈としては細い線が描ける。
しかし、光源の波長よりも短くなると、光の回折や干渉によってマスクの形とウエハー上に作られる像の食い違いが大きくなり、設計通りの回路が形成できなくなる。
それと細過ぎると、微細な線と線がスパークしてしまう。
どうやら5ナノぐらいは行けそうだという。
ここに取り上げた<次世代半導体製造装置>は、なんと、微細な凹凸のついた原板をウエハ―に押しつけて半導体回路を形成する技術だという。
しかし、ここで疑問。
この微細な凹凸の原板自体はどうやって製造するんだろう?
―――なんて考えてみたが、ワシ、専門家ではないのでさっぱり分からない。
ともかく、この製造は実現しているのだ。
ワシなんか60ナノでも驚いていたので、10ナノにもなったんだと、感動している。
この集積回路は今では、なんの驚きもない部品として、一般に認識されているが、
この集積回路こそが、コンピュータのエンジン部分であり、このちっぽけなチップが世界を変えてしまったのだ。
この集積回路がより小型化、反応スピードが速くなったおかげで我々が持っているスマホが世に出現した。
なので、線幅が10ナノメートルなんて記事が出ると、ワシは心躍る。
この先、5ナノが限界だとして、どのような方向に、集積回路は発展していくのだろう。
集積回路ではなくなって、違うコンピュータコアになって行くのだと思うが、この先を、ワシ、想像するとなんだかワクワクと楽しくなってくる。
次回は、ジョセフソンコンピュータとアトム(原子)ビットシリコン素子コンピュータを取りあげたあと、
ワシの非風揺葉(LBWOW)理論による非風揺葉コンピュータ(LBコンピュータ)をお披露目します。
いつもの気が触れたかのような、超コンピュータ世界を初公開です。