Samsung B dieを搭載したOCMEMORY DDR4-3200が発売となりました。8GB×2と8GB×4の2製品となります。互換性、耐性に定評のあるDRAM、Samsung B dieを搭載した製品です。
OCM3200CL16D-16GBND_2sticks
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBNⅮ (DDR4-3200 CL16 8GB×2)

OCMEMORY OCM3200CL16Q-32GBNⅮ (DDR4-3200 CL16 8GB×4)

一般に「B die」と言われているのは、Samsungのパートナンバー「K4A8G085WB」の8Gbit DRAMです。DDR4の登場当初からあるロングランのDRAMで、初期のDDR4オーバークロックメモリはほとんどがこのSamsung B dieが使われていました。

現在ではSk Hynix、Micron、NanyaのDRAMでもDDR4-3200以上で動作可能なものがあり、安価で売られているDDR-3200製品ではすでにSamsung B dieは使われなくなっています。同型番であっても、2年前はSamsung B die、現在はNanyaに変更されていることは、メーカー製メモリでは一般的です。

理由はSamsung B dieが他のDRAMより高価なためです。仮に8Gbit DRAM 1個が0.5ドル違えば、8個で4ドル、8GB×2なら8ドルの差が出てきます。DRAM 1個の価格の差は大したことないと思っても、製品の市場価格では大きな開きとなってきます。

しかし、低レイテンシー、高クロックの耐性は今でもSamsung B dieに優位性があり、ハイパフォーマンスメモリには未だ欠かせない存在です。

互換性については、むしろマザーボード側のBIOSチューニング次第という部分があります。マザーボードメーカーはなるべく広くメモリを対応させるために、BIOSを更新し互換性を高めています。
つまり新しいDRAMほど互換性は低く、ロングランのDRAMほど互換性は高いという傾向にあります。

またAMD Ryzen第3世代とSamsung B dieの互換性は高いと考えられます。理由はAMDが公開したメモリの資料を見ると、Samsung B die搭載のメモリでテストしたと思われるクロック、レイテンシーが並んでいたことから推測できます。このメモリもX570対応となっています。
Samsung B die_01
今回のOCMEMORYの新製品ではSamsungオリジナル刻印のDRAMが使用されています。DRAMは基本的に生産時にDDR4-3200向けにソーティングされたものが使用されるので、大きなオーバーヘッドの期待はできませんが、高品質メモリを探している方にはおすすめの製品です。

またSk Hynix C die使用の16GB×2、16GB×4も発売されました。大容量、コストパフォーマンス重視の方にはこちらもおすすめです。どちらもAMD X570対応となっています。


OCMEMORY OCM3200CL16Q-64GBNC (DDR4-3200 CL16 16GB×4)