#産学連携、中小企業

ソウルバイオシス(Seoul Viosys)、ソウル半導体と見てきたなかで(【044】【045】【046】)、ナイトライド・セミコンダクター株式会社という名前が目に留まる。そもそも、ソウルバイオシスの設立にナイトライド・セミコンダクター社が深く関わっているようだ(参照記事)。

ソウルバイオシスは、2001年に日本のベンチャー企業であるナイトライド・セミコンダクター社がLED専門企業ソウル半導体に長波長UV LED(360nm〜400nm)の共同開発及び技術協力を提案し、2002年に設立されました。
 
この会社は、産学連携事業のモデルケースとして研究対象になり得ると思う。

cf ナイトライド・ニュース

相関図をまとめると以下の通り。
#酒井教授周辺の関係は変化している可能性があります
#相関図は削除しました。



特許権の活用の仕方も独特だ。業界及び会社特有の事情がこのような契約に現れているのだろう。

独占権供与に伴う新たなライセンス料を徴収しない代わりに、ナイトライド社に特許紛争が発生した場合、ソウル半導体が全面的に支援する。

さて、今回は、ナイトライド・セミコンダクタの保有する特許のうち、拒絶査定不服審判で特許審決を得たもの、かつ、海外パテントファミリーを有するものを眺めることにした。
・酒井士郎+ナイトライド・セミコンダクター株式会社

【請求項1】
 基板と、
 前記基板上に成長させた第1GaN系層と、
 前記第1GaN系層上に成長させた、GaNP層とGaN層を交互に積層してなり前記第1GaN系層の転位を抑制する多重量子井戸層と、
 前記多重量子井戸層上に成長させた第2GaN系層と、
 前記第2GaN系層上に成長させた発光層と、
を有し、
 前記第1GaN系層と前記第2GaN系層は同一組成である
ことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体装置。

 ↓ 対応USファミリー

●US7005685B2
1.
 A gallium-nitride-based compound semiconductor device, comprising:
 a substrate; 
 a GaN-based buffer layer formed on said substrate; and 
 a GaN-based compound semiconductor layer formed on said GaN-based buffer layer, 
wherein 
 said GaN-based buffer layer comprises AlxGa1-xN1-yPy (0≤x≤1, 0<y<0.01). 

 

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