#外国企業

Seoul Viosysの特許を見たが(【044】【045】)、この会社の親会社はソウル半導体(Seoul Semiconductor)。そして、このソウル半導体は日亜化学工業と2006年~2009年にわたって大掛かりな訴訟合戦を繰り広げていた。
cf 日亜化学工業(【024】【025】【028】【029】

2006~2009年
 ↓
和解後

さて、ソウル半導体が基本特許だと言っていたUS5075742だが、もともとはフランス共和国の特許だったようだ。それがフランステレコムに承継されて、2007年6月11日にソウル半導体に譲渡されている。このときは、ソウル半導体は、日亜化学と訴訟している最中だから、特許を購入することで防衛力を高めたのかと推測する。なお、この特許は2011年1月10日に存続期間が満了している。残り3.5年で期限が切れる特許が大いに役に立ったということか。仮にこの特許を日亜が取得していたらどうなっていたのだろう。
(米国特許商標庁のDBの履歴)
 Recorded: 11/06/2007
 Assignor: FRANCE TELECOM SA
 Assignee: SEOUL SEMICONDUCTOR CO. LTD.


●US5075742
1.
 A structure having plural layers in semiconductor material,
 one of said layers comprising plural substantially parallel sub-layers deposited successively during growth of said one layer,
 each of said sub-layers having three-dimensional inclusions in a semiconductor material and a narrower forbidden band gap than a forbidden band gap of said one layer.

 ↓ 対応JP特許

●特許2969979
【請求項1】
 半導体材料(1a、5a)の間に複数の層を有する半導体構造において、
 前記複数の層の中のひとつの層(4a)はオプトエレクトロニクス部品用の活性層を形成し、
 当該層(4a)の材料の禁制帯(L4)よりも狭い禁制帯(L8)をもつ半導体材料の3次元含有物(8)を有し、
 該含有物は点状で、活性層の転位に比べて高い密度を示す
ことを特徴とする半導体構造。